Miért olyan fontosak a GaN chipek a Jammersben?

A GaN chipek jelentőségét a zavaró berendezésekben a következő szempontok tükrözik:

- Nagy teljesítményű képesség: A GaN széles, 3,4 eV-os sávszélességgel rendelkezik, és 20-szor nagyobb az áttörési mező, mint a többi RF félvezető technológia. Ez lehetővé teszi a GaN-alapú teljesítményerősítők számára a nagyfeszültségű és nagyáramú jelek kezelésére, ami nagy teljesítményű RF kimenetet eredményez. Például az anti-RCIED berendezésekben nagy teljesítményű zavaró jelekre van szükség a vezeték nélküli triggerjelek megszakításához, és a GaN chipek teljesíthetik ezt a követelményt, és hatékonyan zavarhatják az RCIED vevők normál működését. Az anti-UAV zavaró készülékeknél ráadásul nagy teljesítményű kimenet szükséges a drónok kommunikációs jeleinek egy bizonyos tartományon belüli elnyomására, és a GaN chipek biztosítják a szükséges teljesítményt.

- Nagy frekvencia átvitel: A GaN chipek kiváló nagyfrekvenciás jellemzőkkel rendelkeznek, és széles frekvenciatartományban működhetnek. A zavaró berendezéseknek általában több frekvenciát kell lefedniük a különböző típusú céljelek kezelésére. Például néhány zavarónak a 4000-8000 MHz-es frekvenciasávban kell működnie, hogy zavarja a drónok jeleit. A GaN alapú erősítők nagy nyereséget és nagy hatásfokú erősítést tudnak elérni ilyen nagy frekvenciasávban, gyorsan alkalmazkodnak a különböző jelfrekvenciák és modulációs módszerek változásaihoz, és valós idejű interferenciát érnek el.

- Nagy hatásfok: A GaN chipek nagy elektronmobilitással rendelkeznek, ami csökkentheti a bekapcsolási ellenállást és növelheti a kapcsolási sebességet, ezáltal csökkentve a működés közbeni teljesítményveszteséget, javítva a konverziós hatékonyságot és csökkentve a hőtermelést. Például egy 50 wattos GaN chip alapú zavaró modulban a hatásfok elérheti a 45%-ot vagy még magasabbat is. A nagy hatékonyság nemcsak energiamegtakarítást tesz lehetővé, hanem lehetővé teszi a zavaró berendezés hosszú távú stabil működését, valamint csökkenti a zavaró áramellátó rendszerrel és a hőelvezető rendszerrel szemben támasztott követelményeket, ami elősegíti a berendezés miniatürizálását és hordozhatóságát.

- Jó hővezető képesség: a GaN jó hővezető képességgel rendelkezik, ami elősegíti a chip működése közben keletkező hő elvezetését. A nagy teljesítményű működés során a chip által termelt hő a hőleadó szerkezeten keresztül gyorsan kijuthat a szabadba, így elkerülhető a teljesítményromlás, vagy akár a chip túlmelegedés miatti károsodása. Például a GaN chip alapú zavaró modulban használt kerámia csőhéj jelentősen javíthatja a hőelvezetési hatást, és biztosítja a modul stabil működését zord környezeti feltételek mellett is.

GAN 50W teljesítményerősítő modul körvédelemmel

- Erős interferencia-gátló képesség: A GaN chipek erős interferenciagátló képességgel rendelkeznek, és továbbra is stabil teljesítményt tudnak fenntartani összetett elektromágneses környezetben. A zavaró berendezéseknek gyakran különféle interferenciajelekkel teli környezetben kell működniük. A GaN chipek kiváló interferencia-gátló képessége biztosíthatja, hogy a zavaró berendezések pontosan interferenciajeleket generáljanak, és hatékonyan interferáljanak a céljelekkel anélkül, hogy más interferenciajelek befolyásolnák őket.